BUSINESS  SCOPE


Foundry Process for IC and MEMORY

파운드리에서 자신만의 차별화된 제조공정을 원한다면 (주)이레칩스는 고객이 원하는 것을 얻을 수 있도록 협력합니다. 현재의 파운드리에서 자신만의 공정으로 생산하기 원한다면, (주)이레칩스는 그런 제조공정을 개발하기 위해 파운드리와 협력합니다. 예를 들어 고객의 파운드리에서 NAND FLASH 제품을 가격경쟁력을 갖춘 제조공정을 개발하기 위해 (주)이레칩스는 파운드리와 협력해서 차별화된 제조공정을 개발함으로써 고객과 파운드리가 윈윈하도록 돕습니다.

High Voltage MOSFETs

(주)이레칩스는 고객의 목표 사양과 응용에 부합할 수 있도록 개발 및 생산 서비스를 제공합니다. 제조 및 소자 TCAD 시뮬레이션, 레이아웃 및 설계, 시제품 개발, AEC-Q100/101 인증 및 신뢰성 테스트를 진행해서 고객이 원하는 스펙을 맞출 수 있는 고전압 Power MOSFET를 제공하고 있습니다. 어셈블리 및 최종 테스트를 턴키로 제공합니다. 200V~800V 규격의 고전압 Power MOSFET은 응용의 특성에 맞게 Trench, Shielded Gate, Super Junction Technology 등을 이용하여 고주파 스위칭 등 응용에 맞는 제품을 개발합니다.

Low Voltage MOSFETs

100V 이하의 제품, 특히 스마트폰 배터리의 보호 회로 모듈(PCM, Protection Circuit Module)의 응용에서 사용되는 low voltage Power MOSFET 제품에서 요구하는 것은 높은 전류밀도 및 높은 가격경쟁력입니다. (주)이레칩스는 이러한 응용에 맞는 특성을 갖도록 보통의 제조공정과 차별화된 제조공정을 보유하고 있기 때문에 우수한 신뢰성을 갖는 높은 가격경쟁력의 Power MOSFET을 공급하고 있습니다. 전기차 등 자동차 응용에 적용할 수 있도록 AEC-Q100/101 인증 제품을 고객 자신의 브랜드로 제공 받을 수 있습니다.

Schottky Barrier (Bridge) Diodes

(주)이레칩스는 다양한 규격의 다이오드를 제공합니다. 특히 low VF(forward voltage)를 갖는 쇼트키 다이오드 및 쇼트키 브릿지 다이오드를 제공합니다. 0.5V 로 낮은 VF를 갖는 쇼트키 (브릿지) 다이오드는 voltage drop을 최소화함으로써 polarity protection과 같은 응용에서 power loss를 최소화할 수 있습니다. (주)이레칩스는 이러한 low VF 다이오드를 적용할 때 low VF로 인해 발생하는 leakage current 특성을 잘 검토할 수 있도록 고객과 협력합니다.