BUSINESS  SCOPE

MRAM (Magneto-resistive Random Access Memory)

DRAM, SRAM, NOR/NAND Flash의 장점을 가지고 있는 MRAM을 wafer 및 package로 공급하고 있습니다. 기존의 메모리의 장점을 모두 가지고 있기 때문에 어떤 한 시스템에서 여러 종류의 메모리를 통합하여 unified memory로 사용할 수 있습니다. MRAM의 특장점은 다음과 같습니다.

 - Non-volatile
 DRAM 및 SRAM처럼 전원이 끊어질 때 데이터가 사라지는 것을 막기 위한 coin battery 또는 super capacitor가 필요없습니다. 전원이 끊어져도 데이터를 계속 저장하고 있습니다.

 - Fast access & Low power
 Low latency. DRAM 및 SRAM처럼 read/write speed가 높습니다. 또한 전력 사용량이 적기 때문에 IoT와 같은 소형 기기에서 사용될 때 되어 빠르게 데이터를 처리할 수 있으며, 오랫동안 사용할 수 있습니다.

 - Long Retention
 데이터를 계속 읽을 때 가해지는 스트레스로 인해 데이터가 소실되지 않습니다.

 - XiP(eXecution In Place)
 메모리 영역을 나누어 program 영역 및 데이터 저장 영역을 STT-MRAM 하나로 처리할 수 있습니다.

 - OTA update
 XiP가 가능하므로 통신을 통해서 원격으로 program update가 가능합니다.

 - Radiation Hardness
 기존의 메모리처럼 data가 charge에 의해 정해지는 것이 아니라 자성 방향에 의해서 정해지므로 방사선에 의한 data 소실이 일어나지 않습니다.


Foundry Process for High Voltage Power MOSFET

(주)이레칩스는 고객의 목표 사양과 응용에 부합할 수 있도록 개발 및 생산 서비스를 제공합니다.

제조 및 소자 TCAD 시뮬레이션, 레이아웃 및 설계, 시제품 개발, AEC-Q100/101 인증 및 신뢰성 테스트를 진행해서 고객이 원하는 스펙을 맞출 수 있는 High Voltage Power MOSFET 공정을 제공하고 있습니다. 어셈블리 및 최종 테스트까지 턴키로 제공합니다.

150V~1200V 규격의 고전압 Power MOSFET은 응용의 특성에 맞게 Trench, Shielded Gate, Super Junction Technology 등을 이용하여 고주파 스위칭, EMI 등 응용에 맞는 제품을 개발합니다.
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전기차 등 자동차 응용에 적용할 수 있도록 AEC-Q100/101 인증 제품을 고객 자신의 브랜드로 제공 받을 수 있습니다.
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Foundry Process for Low Voltage Power MOSFET

스마트폰 배터리의 보호 회로 모듈(PCM, Protection Circuit Module)의 응용에서 사용되는 100V 미만의 low voltage Power MOSFET 제품에서 요구하는 것은 높은 전류밀도 및 높은 가격경쟁력입니다. (주)이레칩스는 이러한 응용에 맞는 특성을 갖도록 보통의 제조공정과 차별화된 제조공정을 보유하고 있습니다.

(주)이레칩스는 높은 가격경쟁력과 우수한 신뢰성을 갖는 Low Voltage Power MOSFET에 대한 제품과 process를 공급하고 있습니다.
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Schottky Barrier (Bridge) Diode

(주)이레칩스는 다양한 규격의 다이오드를 제공합니다.​

특히 low VF(forward voltage)를 갖는 쇼트키 다이오드 및 쇼트키 브릿지 다이오드를 제공합니다. 0.5V 로 낮은 VF를 갖는 쇼트키 (브릿지) 다이오드는 voltage drop을 최소화함으로써 polarity protection과 같은 응용에서 power loss를 최소화할 수 있습니다. (주)이레칩스는 이러한 low VF 다이오드를 적용할 때 low VF로 인해 발생하는 leakage current 특성을 잘 검토할 수 있도록 고객과 협력합니다.
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